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IDT71V67602, IDT71V67802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous
SRAMs with 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Pin Configuration ? 256K x 36, 119 BGA
Commercial and Industrial Temperature Ranges
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CS 0 (4)
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I/O P4
A 4
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V SS
V SS
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BW 3
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V SS
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ADSP
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BW 2
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V DD
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NC
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DNU (3)
LBO
A 10
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DNU (3)
V DD / NC (1)
A 14
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NC
DNU (3)
NC
ZZ (2)
V DDQ
,
Top View
Pin Configuration ? 512K x 18, 119 BGA
5311 drw 04
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5311 drw 05
Top View
NOTES:
1. R5 can either be directly connected to V DD , or connected to an input voltage ≥ V IH , or left unconnected.
2. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
3. Pin U6 will be internally pulled to V DD if not actively driven. To disable the TAP controller without interfering with normal operation, TRST should be tied low
and TCK, TDI, and TMS should be pulled through a resistor to 3.3V. TDO should be left unconnected.
4. On future 18M device CS 0 will be removed, B2 will be be used for address expansion.
7
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IDT71V67703S85BGGI IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
IFMD18105 CABINET STEEL 19.6X39.4X77.3 BEI
IFMD18106 CABINET STEEL 23.6X39.4X77.3 BEI
IFMD18108 CABINET STEEL 31.5X39.4X77.3 BEI
IFMD1885 CABINET STEEL 19.6X31.5X77.3 BEI
IFMD1886 CABINET STEEL 23.6X31.5X77.3 BEI
IFMD1888 CABINET STEEL 31.5X31.5X77.3 BEI
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IDT71V67602S166BQGI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
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